标题：
Multiple P-Type SiC Micro-Island with Multi-Step as Termination for 4H-SiC Schottky Barrier Diode
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所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Multiple P-Type SiC Micro-Island with Multi-Step as Termination for 4H-SiC Schottky Barrier Diode
发表刊物：
2024 21st China International Forum on Solid State Lighting & 2024 10th International Forum on Wide Bandgap Semiconductors (SSLCHINA: IFWS)
第一作者：
王新宇
论文编号：
99EBB9F885AB4FE0A19772F7E975E724
是否译文：
否
发表时间：
2024-11
发布时间：
2025-03-04
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）