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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

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标题：

Multiple P-Type SiC Micro-Island with Multi-Step as Termination for 4H-SiC Schottky Barrier Diode

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

第一作者：

王新宇

论文编号：

99EBB9F885AB4FE0A19772F7E975E724

是否译文：

否

发表时间：

2024-11-18

发表时间：

2024-11-18

下一条： Multi-Step junction termination extension design and simulation study for 4H-SiC Schottky barrier diode

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