标题：
Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination
点击次数：
所属单位：
新一代半导体材料研究院
论文名称：
Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination
发表刊物：
MICROELECTRONICS JOURNAL
第一作者：
王新宇
论文编号：
B553EB6CF2E14F2F938DCAF7AB87DCE3
期号：
161
页面范围：
106732
字数：
5000
是否译文：
否
发表时间：
2025-05
发布时间：
2025-05-16
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院（晶体材料全国重点实验室）