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胡小波

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

标题：

Simulation and fabrication of 4H-SiC SBD with main P-epilayer island termination

点击次数：

所属单位：

新一代半导体材料研究院

发表刊物：

MICROELECTRONICS JOURNAL

第一作者：

王新宇

论文编号：

B553EB6CF2E14F2F938DCAF7AB87DCE3

期号：

161

页面范围：

106732

字数：

5000

是否译文：

否

发表时间：

2025-05-13

发表时间：

2025-05-13

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