Fully-vertical GaN-on-Si power MOSFETs
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发表刊物：IEEE Electron Device Letters
全部作者：Chao Liu,Soleimanzadeh A Reza
第一作者：Riyaz A Khadar
论文类型：期刊论文
通讯作者：Elison Matioli
卷号：40
页面范围：443
是否译文：否
发表时间：2019-03-01
发表时间：2019-03-01
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