High Performance AlGaN/GaN/Si Power MOSHEMTs with ZrO2 Gate Dielectric
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发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者：Chao Liu,Kar Wei Ng,Chak Wah Tang,Kei May Lau
第一作者：Huaxing Jiang
论文类型：期刊论文
卷号：12
页面范围：5337
是否译文：否
发表时间：2018-09-01
发表时间：2018-09-01
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