Fabrication and Characterization of Gate-Last Self-Aligned AlN/GaN MISHEMTs With In Situ SiNx Gate Dielectric
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发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
全部作者：Jun Ma,Huaxing Jiang,Chao Liu,Peiqiang Xu
第一作者：Xing Lu
论文类型：期刊论文
通讯作者：Kei May Lau
卷号：62
页面范围：1862
是否译文：否
发表时间：2015-09-01
发表时间：2015-09-01