教授 博士生导师 硕士生导师
性别:男
毕业院校:香港科技大学
学位:博士
在职信息:在职
所在单位:集成电路学院
入职时间:2019-04-26
学科:微电子学与固体电子学
办公地点:山东大学软件园校区3-B栋302室
一种具有沟槽隔离层结构的Ⅲ族氮化物垂直型功率半导体器件结构
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申请专利人:刘超
发明设计人:王珩
申请号:202111555912.1
是否职务专利:是
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