刘超 (教授)

教授 博士生导师 硕士生导师

性别:男

毕业院校:香港科技大学

学位:博士

在职信息:在职

所在单位:集成电路学院

入职时间:2019-04-26

学科:微电子学与固体电子学

办公地点:山东大学软件园校区3-B栋302室

   
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一种氮化镓基垂直型超级结肖特基二极管及其制备方法

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申请专利人:刘超

发明设计人:尹健

申请号:202210173476.X

是否职务专利:

上一条: 一种基于n型导电SiC衬底的GaN完全垂直型电子器件及其制备方法

下一条: 一种具有沟槽隔离层结构的Ⅲ族氮化物垂直型功率半导体器件结构