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胡小波
职称:教授
所在单位:晶体材料研究院
教师拼音名称:
huxiaobo
入职时间:
1997-09-01
所在单位:
晶体材料研究院
性别:
男
在职信息:
在职
是否在职:
1
论文成果
[196] 徐现刚 , 彭燕 and 胡小波. Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates. International Journal of ELECTROCHEMICAL, 2013.
[197] 彭燕 , 陈秀芳 , 徐现刚 and 胡小波. Characterization of Electrical Properties of n-Type 4H-SiC Single Crystals by Raman Spectroscopy. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013.
[198] 胡小波. The stress birefringence images of low angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals . Crystal Research, 2012.
[199] 王翎 , 徐现刚 and 胡小波. 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性. 《人工晶体学报》, 37, 1117, 2008.
[200] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. 以(1015)面为籽晶的6H -SiC单晶生长与缺陷研究. 《人工晶体学报》, 39, 287, 2010.
[201] 徐现刚 , 彭燕 and 胡小波. Stacking faults in semi-polar 6H-SiC single crystals. Crystal Research and Technology, 36, 357, 2011.
共201条 14/14
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