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胡小波

职称：教授
所在单位：晶体材料研究院

教师拼音名称：huxiaobo
入职时间：1997-09-01
所在单位：晶体材料研究院
性别：男
在职信息：在职
是否在职：1

论文成果

[196] 胡小波. SiC 衬底上生长的 GaN 外延层的高分辨 X 射线衍射分析. 《人工晶体学报》, 2014.
[197] 徐现刚 and 胡小波. Hierarchical Porous Patterns of n-type 6HeSiC Crystals via Photoelectrochemical Etching. Journal of material science and technology, 2013.
[198] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. Combustion synthesis of high purity SiC powder by radio-frequency heating. Ceramics International, 2013.
[199] 徐现刚 , 彭燕 and 胡小波. Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates. International Journal of ELECTROCHEMICAL, 2013.
[200] 彭燕 , 陈秀芳 , 徐现刚 and 胡小波. Characterization of Electrical Properties of n-Type 4H-SiC Single Crystals by Raman Spectroscopy. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013.
[201] 胡小波. The stress birefringence images of low angle grain boundaries in 6H-SiC single crystals . Crystal Research, 2012.
[202] 王翎 , 徐现刚 and 胡小波. 透射电子显微术和高分辨X射线衍射技术研究AlN单晶生长习性. 《人工晶体学报》, 37, 1117, 2008.
[203] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. 以（1015）面为籽晶的6H -SiC单晶生长与缺陷研究. 《人工晶体学报》, 39, 287, 2010.
[204] 徐现刚 , 彭燕 and 胡小波. Stacking faults in semi-polar 6H-SiC single crystals. Crystal Research and Technology, 36, 357, 2011.

共204条 14/14

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