Metallic doping: a new strategy for suppressing shallow-trap centers in vertically stacked charge-trapping flash memories
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Applied Physics Express
第一作者：王菲
论文编号：D0BA89065D9D403F926E4B20F7516F03
卷号：13
期号：4
字数：5
是否译文：否
发表时间：2020-03-19
发表时间：2020-03-19