Extending the Scaling Limit of Silicon Channel Transistors Through hhk-Silicene Monolayer: A Computational Study
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
关键字：Field-effect transistors (FETs);hybrid honeycomb-kagome (hhk)-silicene;scaling limit;steep-slope;sub-5 nm
第一作者：桑鹏鹏
论文编号：1539149533830766593
卷号：69
期号：6
页面范围：3494-3498
字数：3
是否译文：否
发表时间：2022-06-01
发表时间：2022-06-01