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Geometric, Electronic, and Transport Predictions on Two-Dimensional Semiconducting Silicon with Kagome Lattice: Implications for Nanoscale Field-Effect Transistor Applications

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所属单位：信息科学与工程学院

发表刊物：ACS Applied Nano Materials

第一作者：桑鹏鹏

论文编号：98A7783704B24AECA5CB7344B3FD7C76

卷号：6

期号：8

页面范围：6849

字数：5

是否译文：否

发表时间：2023-04-07

上一条： Two-dimensional electronic and charge-transport properties of a monolayer organic crystal: Impacts of the collinear transfer-integral correlations

下一条： Impacts of atomistic surface roughness on electronic transport in n-type and ptype MoS2 field-effect transistors

李元 (副教授)