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彭燕

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性别：女

在职信息：在职

所在单位：晶体材料研究院

入职时间：2011-08-16

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当前位置中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果

[61] 彭燕 , 陈秀芳 , 胡小波 and 徐现刚. 高质量半绝缘150 mm 4H-SiC 单晶生长研究. 《人工晶体学报》, 2016.
[62] 彭燕 and 徐现刚. Temperature and doping dependence of the Raman scattering in 4H-SiC. optical material express, 2016.
[63] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. Combustion synthesis of high purity SiC powder by radio-frequency heating. Ceramics International, 2013.
[64] 陈秀芳 , 徐现刚 , 胡小波 and 彭燕. Thermal conductivity of 4H-SiC single crystals. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013.
[65] 彭燕 , 陈秀芳 , 徐现刚 and 胡小波. Characterization of Electrical Properties of n-Type 4H-SiC Single Crystals by Raman Spectroscopy. ECS JOURNAL OF SOLID STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013.
[66] 胡小波 , 彭燕 and 徐现刚. 以（1015）面为籽晶的6H -SiC单晶生长与缺陷研究. 《人工晶体学报》, 39, 287, 2010.
[67] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. 6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究. 《人工晶体学报》, 38, 7, 2009.
[68] 徐现刚 , 胡小波 , 王翎 and 彭燕. 硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响. 《功能材料》, 39, 1989, 2008.
[69] 胡小波 , 徐现刚 and 彭燕. Stacking faults in semi-polar 6H-SiC single crystals. Crystal Research and Technology, 36, 357, 2011.
[70] 陈秀芳 , 徐现刚 , 蒋民华 , 彭燕 and 胡小波. Growth of wafer size Graphene on SiC Substrates. Materials science forum, 687, 90, 2011.
[71] 陈秀芳 , 彭燕 , 胡小波 , 徐现刚 and 杨祥龙. Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attach. CrystEngComm, 20, 6957, 2018.
[72] 徐现刚 , 陈秀芳 and 彭燕. 高纯半绝缘4H-SiC单晶的生长. 《人工晶体学报》, 2014.
[73] 陈秀芳 , 彭燕 , 胡小波 and 徐化勇. Progress in research of GaN-based LEDs fabricated on SiC substrate. Chin. Phys. B, 2015.
[74] 徐现刚 , 彭燕 and 胡小波. Characterization of Nitrogen-Boron doped 4H-SiC substrates. International Journal of ELECTROCHEMICAL, 2013.
[75] 杨祥龙 , 彭燕 , 胡小波 , 徐现刚 and 陈秀芳. 高质量N 型SiC 单晶生长及其器件应用. 《人工晶体学报》, 2015.
[76] 陈秀芳 , 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. Physical vapor transport growth of 4H-SiC on {000-1} vicinal surfaces. Materials science forum, 2015.
[77] 彭燕 , 徐现刚 and 胡小波. 6H-SiC成核表面形貌与缺陷产生的研究. 《人工晶体学报》, 38, 7, 2009.
[78] 胡小波 , 王翎 , 彭燕 and 徐现刚. 硅粉形貌对人工合成高纯碳化硅粉料的影响. 《功能材料》, 39, 1989, 2008.
[79] 徐现刚 , 彭燕 and 胡小波. Stacking faults in semi-polar 6H-SiC single crystals. Crystal Research and Technology, 36, 357, 2011.
[80] 徐现刚 , 蒋民华 , 彭燕 , 胡小波 and 陈秀芳. Growth of wafer size Graphene on SiC Substrates. Materials science forum, 687, 90, 2011.

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