Patents
- [1]一种碳化硅单晶生长方法及碳化硅单晶
 - [2]一种无定位边的SiC衬底加工及使用方法
 - [3]一种p型SiC单晶生长的坩埚及方法
 - [4]一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
 - [5]一种大直径SiC单晶生长装置及生长方法
 - [6]一种SiC单晶衬底及其制备方法与应用
 - [7]一种实现金刚石单晶衬底表面取向的方法
 - [8]一种快速有选择性的降低SiC晶体中微管和位错密度的方法
 - [9]一种简单、高效降低 SiC 单晶中碳包裹物的方法
 - [10]一种基于偏振拉曼光谱对SiC晶体声子各向异性的测试方法
 - [11]一种实现工件不同厚度切割的多线切割机罗拉及其使用方法
 - [12]一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法
 - [13]一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法
 - [14]有色碳硅石宝石及其制备方法
 - [15]一种对偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法
 
| TOTAL 24 PIECE 1/2 | 
![]()  | 
        
- 胡小波
 

| 
 Copyright All Rights Reserved Shandong University Address: No. 27 Shanda South Road, Jinan City, Shandong Province, China: 250100 Information desk: (86) - 0531-88395114 On Duty Telephone: (86) - 0531-88364731 Construction and Maintenance: Information Work Office of Shandong University  | 
                
                
 Click:
                 The Last Update Time:..  | 
            
