Lateral charge migration induced abnormal read disturb in 3D charge-trapping NAND flash memory (vol 13, 054002, 2020)
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Applied Physics Express
第一作者：王菲
论文类型：基础研究
论文编号：18E1695BB0C44E759D537C7769C12A4E
卷号：13
期号：7
是否译文：否
发表时间：2020-04-17
发表时间：2020-04-17