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Lateral charge migration induced abnormal read disturb in 3D charge-trapping NAND flash memory (vol 13, 054002, 2020)

发布时间：2021-06-02 点击数：

所属单位：信息科学与工程学院

论文名称：Lateral charge migration induced abnormal read disturb in 3D charge-trapping NAND flash memory (vol 13, 054002, 2020)

发表刊物：Applied Physics Express

第一作者：王菲

论文编号：18E1695BB0C44E759D537C7769C12A4E

卷号：13

期号：7

字数：5

是否译文：否

发表时间：2020-04

上一条： Impacts of extra charges on trap level modulations at cSi/aSiO(2) interface: correlations to leakage current recovery in oxide dielectric

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李元 (副教授)