Impacts of extra charges on trap level modulations at cSi/aSiO(2) interface: correlations to leakage current recovery in oxide dielectric
发布时间：2021-06-02 点击数：
所属单位：信息科学与工程学院
论文名称：Impacts of extra charges on trap level modulations at cSi/aSiO(2) interface: correlations to leakage current recovery in oxide dielectric
发表刊物：Journal of Physics D: Applied Physics
第一作者：马晓雷
论文编号：4D70F8DB3D9A44A4BD78E480F829B2D4
卷号：53
期号：24
字数：5
是否译文：否
发表时间：2020-04