Impacts of extra charges on trap level modulations at cSi/aSiO(2) interface: correlations to leakage current recovery in oxide dielectric
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Journal of Physics D: Applied Physics
第一作者：马晓雷
论文类型：基础研究
论文编号：4D70F8DB3D9A44A4BD78E480F829B2D4
卷号：53
期号：24
是否译文：否
发表时间：2020-04-07
发表时间：2020-04-07