Strain engineered C-31 field-effect-transistors: a new strategy to break 60 mV/decade by using electron injection from intrinsic isolated states
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：Applied Physics Express
第一作者：汪倩文
论文类型：基础研究
论文编号：E64EDFE506234FD6A2B34B729E361DAD
卷号：14
期号：7
字数：3
是否译文：否
发表时间：2021-07-01
发表时间：2021-07-01