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Impacts of atomistic surface roughness on electronic transport in n-type and p-type MoS2 field-effect transistors

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所属单位：信息科学与工程学院

发表刊物：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS

第一作者：马晓雷

论文编号：A410E6F528C245DC9A7DA51CF50BE6DD

卷号：58

期号：11

字数：3

是否译文：否

发表时间：2019-11-01

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李元 (副教授)