李元山东大学主页平台管理系统--李元的个人主页

当前位置: 李元的个人主页 >> 科学研究 >> 论文成果

Impacts of atomistic surface roughness on electronic transport in n-type and p-type MoS2 field-effect transistors

点击次数：

所属单位：信息科学与工程学院

发表刊物：JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 2-LETTERS & EXPRESS LETTERS

第一作者：马晓雷

论文类型：基础研究

论文编号：A410E6F528C245DC9A7DA51CF50BE6DD

卷号：58

期号：11

字数：3

是否译文：否

发表时间：2019-11-01

上一条： Semiconducting Silicene: A Two-Dimensional Silicon Allotrope with Hybrid Honeycomb-Kagome Lattice

下一条： Strain engineered C-31 field-effect-transistors: a new strategy to break 60 mV/decade by using electron injection from intrinsic isolated states

李元 (副教授)