Sub-3nm Transition-Metal Dichalcogenides FETs: Theoretical Insights into the Impacts of Layer Numbers and Channel Lengths
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所属单位：信息科学与工程学院
关键字：Manufacture;Transition metals;Calculation results;Channel length;Double-gate fets;Electrical equivalent;Field effect transistor (FETs);First principle calculations;Technology nodes;Transition metal dichalcogenides
第一作者：王菲
论文编号：1478205738357624834
字数：3
是否译文：否
发表时间：2021-04-08
发表时间：2021-04-08