Impacts of Lateral Charge Migration on Data Retention and Read Disturb in 3D Charge-Trap NAND Flash Memory
发布时间：2023-05-18 点击数：
所属单位：信息科学与工程学院
论文名称：Impacts of Lateral Charge Migration on Data Retention and Read Disturb in 3D Charge-Trap NAND Flash Memory
发表刊物：IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT)
第一作者：彭学阳
论文编号：1402446190850609154
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-11