Impacts of Lateral Charge Migration on Data Retention and Read Disturb in 3D Charge-Trap NAND Flash Memory
点击次数：
所属单位：信息科学与工程学院
第一作者：彭学阳
论文编号：1402446190850609154
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-11-06
发表时间：2020-11-06
副教授 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：信息科学与工程学院
入职时间：2017-12-26
学科：微电子学与固体电子学
联系方式：Shandong University (Qingdao), 72 Binhai Rd., Jimo Dist., Qingdao 266237, P. R. China
Impacts of Lateral Charge Migration on Data Retention and Read Disturb in 3D Charge-Trap NAND Flash Memory
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所属单位：信息科学与工程学院
第一作者：彭学阳
论文编号：1402446190850609154
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-11-06
发表时间：2020-11-06