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Tunable electrical contacts in two-dimensional silicon field-effect transistors: The significance of surface engineering

发布时间：2024-05-15 点击数：

所属单位：信息科学与工程学院

论文名称：Tunable electrical contacts in two-dimensional silicon field-effect transistors: The significance of surface engineering

第一作者：桑鹏鹏

论文编号：B30C827C7ECF42FC8C558B5CBD7D073F

卷号：614

字数：3

是否译文：否

发表时间：2023-03

上一条： On a Mott formalism for modeling oxide thin-film transistors

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李元 (副教授)