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Tunable electrical contacts in two-dimensional silicon field-effect transistors: The significance of surface engineering

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所属单位：信息科学与工程学院

发表刊物：applied surface science

第一作者：桑鹏鹏

论文编号：B30C827C7ECF42FC8C558B5CBD7D073F

卷号：614

字数：3

是否译文：否

发表时间：2023-03-30

上一条： On a Mott formalism for modeling oxide thin-film transistors

下一条： Study on the internal conversion dynamics following different electron transfer at a donor/acceptor polymer heterointerface

李元 (副教授)