Impact of Density of States on the Characteristics of Channel-All-Around InGaZnO Field-Effect Transistors
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：IEEE Transactions on Electron Devices
第一作者：蔡坤林
论文编号：64889230866F4871B21D399BDA5D2A22
期号：1
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2025-02-02
发表时间：2025-02-02