On a Mott formalism for modeling oxide thin-film transistors
点击次数：
所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：伊光政
论文编号：2F1D84913D454F00AF0A13597564A717
期号：3
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-07-15
发表时间：2024-07-15
副教授 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：信息科学与工程学院
入职时间：2017-12-26
学科：微电子学与固体电子学
联系方式：Shandong University (Qingdao), 72 Binhai Rd., Jimo Dist., Qingdao 266237, P. R. China
On a Mott formalism for modeling oxide thin-film transistors
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所属单位：信息科学与工程学院
发表刊物：APPLIED PHYSICS LETTERS
第一作者：伊光政
论文编号：2F1D84913D454F00AF0A13597564A717
期号：3
字数：4000
是否译文：否
发表时间：2024-07-15
发表时间：2024-07-15