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胡小波
职称：教授
所在单位：晶体材料研究院
教师拼音名称：
huxiaobo
入职时间：
1997-09-01
所在单位：
晶体材料研究院
性别：
男
在职信息：
在职
是否在职：
1
科研项目
[16]SiC单晶衬底制备,2006/12/10,2008/12/30,
[17]大尺寸半导体SiC单晶衬底材料,2002/01/01,2004/06/30,
[18]大尺寸半导体SiC单晶衬底材料,2005/03/01,2006/04/01,
[19]3英寸6H-SiC单晶生长研究,2009/06/01,2012/12/31,
[20]大尺寸SiC单晶的合作研发,2010/12/01,2011/12/01,
[21]半导体金刚石材料制备与光电性质研究,2018/05/01,2021/04/30,
[22]超高能效LED高质量外延与内量子效率提升技术研究,2017/07/01,2020/12/31,
[23]高质量6英寸SiC单晶生长与衬底加工技术研究,2016/01/01,2018/12/31,
[24]新型大功率GaN电子器件外延及芯片制备技术研究,2015/01/01,2017/12/31,
[25]高纯碳化硅粉料合成技术研究,2004/01/01,2007/12/30,
[26]SiC衬底超精密面型加工研究,2012/01/01,2013/12/31,
[27]6H-SiC单晶生长研究,2008/06/01,2011/06/01,
[28]升华法生长氮化铝单晶,2005/01/30,2007/12/30,
[29]SiC单晶衬底的超精密加工,2008/01/01,2010/12/30,
[30]碳化硅发光和大功率白光LED技术研究和产业化项目,2007/11/30,2008/12/31,
共37条 2/3
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职称：教授
所在单位：晶体材料研究院