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陈思衡.High Breakdown Voltage P-GaN Gate HEMTs With Threshold Voltage of 7.1 V. IEEE Electron Device Letters, 12:2343,2024.
罗鑫.Enhanced device performance of GaN high electron mobility transistors with in situ crystalline SiN cap layer. APPLIED PHYSICS LETTERS, 125,2024.
周衡.Study of electrical transport properties in split-gate AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistorsGuti Dianzixue Yanjiu Yu Jinzhan/Research & Progress of Solid State Electronics,2023.
王鸣雁.Impact of electron velocity modulation on microwave power performance for AlGaN/GaN HFETsAPPLIED PHYSICS LETTERS,2024.

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