Cold source engineering towards sub-60mV/dec p-Type field-effect-transistors (pFETs): Materials, structures, and doping optimizations
发布时间：2023-05-18 点击数：
所属单位：信息科学与工程学院
论文名称：Cold source engineering towards sub-60mV/dec p-Type field-effect-transistors (pFETs): Materials, structures, and doping optimizations
发表刊物：IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
第一作者：汪倩文
论文编号：1402446236316864513
卷号：2020-December
页面范围：22.4.1-22.4.4
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-12