Impacts of Poly-Si Channel on Cell Variations in Vertical Scaled Charge-Trap (CT) 3D NAND Flash Memory
点击次数:
所属单位:信息科学与工程学院
第一作者:王菲
论文编号:1402446227466883073
字数:3
是否译文:否
发表时间:2020-11-06
发表时间:2020-11-06
Impacts of Poly-Si Channel on Cell Variations in Vertical Scaled Charge-Trap (CT) 3D NAND Flash Memory
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所属单位:信息科学与工程学院
第一作者:王菲
论文编号:1402446227466883073
字数:3
是否译文:否
发表时间:2020-11-06
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