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Impacts of Operation Intervals on Program Disturb in 3D Charge-trapping Triple-level-cell (TLC) NAND Flash Memory

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所属单位：信息科学与工程学院

关键字：3D NAND flash;operation intervals;program disturb;lateral charge migration

第一作者：方晓彤

论文编号：1478212210961420289

字数：3

是否译文：否

发表时间：2021-04-08

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李元 (副教授)