Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors
点击次数：
所属单位：信息科学与工程学院
关键字：GAA poly-Si Nanowire FETs;PBTI;trap charging
第一作者：杨文静
论文编号：1395264523660693505
页面范围：175-176
字数：3
是否译文：否
发表时间：2018-11-23
发表时间：2018-11-23