Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors
发布时间：2023-05-18 点击数：
所属单位：信息科学与工程学院
论文名称：Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors
发表刊物：IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (IEEE ICTA)
关键字：GAA poly-Si Nanowire FETs;PBTI;trap charging
第一作者：杨文静
论文编号：1395264523660693505
页面范围：175-176
字数：3
是否译文：否
发表时间：2018-11