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TID Radiation Impacts on Charge-trapping Macaroni 3D NAND Flash Memory

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所属单位：信息科学与工程学院

关键字：Charge trapping;Failure (mechanical);Failure analysis;Integrated circuits;Ionizing radiation;Irradiation;Leakage currents;Memory architecture;Metals;NAND circuits;Threshold voltage

第一作者：秦琦

论文编号：1395301829817929729

卷号：2020-July

字数：3

是否译文：否

发表时间：2020-07-20

上一条： Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel

下一条： Positive Bias Temperature Instabilities in Vertical Gate-all-around poly-Si Nanowire Field-effect Transistors

李元 (副教授)