Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel
点击次数：
所属单位：信息科学与工程学院
第一作者：汪倩文
论文编号：1395264240742305793
页面范围：103-104
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-06-13
发表时间：2020-06-13
副教授 硕士生导师
性别：男
毕业院校：山东大学
学历：研究生(博士)毕业
学位：博士生
在职信息：在职
所在单位：信息科学与工程学院
入职时间：2017-12-26
学科：微电子学与固体电子学
联系方式：Shandong University (Qingdao), 72 Binhai Rd., Jimo Dist., Qingdao 266237, P. R. China
Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel
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所属单位：信息科学与工程学院
第一作者：汪倩文
论文编号：1395264240742305793
页面范围：103-104
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-06-13
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