Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel
发布时间：2023-05-18 点击数：
所属单位：信息科学与工程学院
论文名称：Impacts of Biaxial Tensile Strain in Double-gate Tunneling Field-effect-transistor (DG-TFET) with a Monolayer WSe2 Channel
发表刊物：IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW)
第一作者：汪倩文
论文编号：1395264240742305793
页面范围：103-104
字数：3
是否译文：否
发表时间：2020-06