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[1] 一种高压平面栅金属-氧化物场效应晶体管及其制造方法方法
[2] 一种基于物理基紧凑型电流电压模型的AlGaN/GaN异质结场效应晶体管优化方法
[3] 一种SiC器件欧姆接触及其制备方法和应用
[4] 一种氮化镓HEMT器件及其制备方法
[5] 具有氟基气体处理AlN帽层的氮化镓HEMT器件及其制备方法
[6] 基于能带调控结终端的氮化镓肖特基二极管及其制备方法
[7] 基于GaN HEMT结终端的SiC肖特基二极管
[8] 基于In组分调控InGaN的增强型GaN功率器件
[9] 一种增强型GaN HEMT器件结构和制造方法
[10] 集成SBD的SiC衬底上增强型GaN HEMT器件
